|
 Optoelektronik Devreler Ve Düzenler Ödevi
|
|
optoelektronik ışık, radyo dalgalarının pek çok özelliğini gösteren elektromanyetik bir fenomendir. görülebilir ışık, elektromanyetik tayfın 0.4 μm (mor) ve 0.8 μm (kırmızı) (400-800 nm) dalga boyu aralığındadır optoelektronik aygıtlar ise morötesinden kızılötesine kadar çok daha geniş bir aralıktadırlar. tayfın ilgilendiğimiz aralığı aşağıda gösterilmektedir. şekil 1 elektromanyetik tayf optik ve elektronik arasında benzerlik olduğundan ve son zamanlarda her ikisinin kesişimi olan optoelektroniğin önem kazanması şaşırtıcı değildir. optoelektronik aygıtlar üç gruba ayrılırlar: 1) ışığa tepki veren aygıtlar (sensörler) 2) ışık yayan aygıtlar (yayıcılar) 3) ışığı kullanan aygıtlar. sensörler fotodirençli hücreler (ışık bağımlı dirençler-ldr) ışık alıcılarının en basit formu fotodirençtir, örneğin orp12. emilen (absorbed) ışık, fotodirençli maddede direncin azalmasına neden olan elektron-boşluk çiftleri oluşturur. tipik bir hücrenin karanlıkta 2 mΩ, oda ışığında ise 100 Ω direnci vardır. bu durum, basit devrelerde kullanımı sağlayan 1 e 10.000 değişim demektir. bu yüzden en çok aç/kapa algılama devrelerinde uygun olarak kullanılabilmektedirler. fotovoltaik aygıtlar (solar hücreler) fotovoltaik aygıt, yüksek ışıkta kaldığında terminalleri arasında gerilim oluşturan, özel tasarlanmış pn kesişimleridir. üretilen güç düşüktür; tek bir hücre, güneş ışığında, 0.4 vta 20 ma –100 ma akım üretir. açık devre gerilimi/yüzeye gelen ışık ilişkisi logaritmiktir. bu yüzden fotografik ışık-metrelerde kullanışlıdırlar. kısa devre akımı/yüzeye gelen ışık ilişkisi ise doğrusaldır ve bu mod ışık metrelerin bir kısmında sınırlı bir şekilde kullanılır. fotovoltaik hücreler pahalıdırlar ve bu onların özel kullanımlarını sınırlar. foto diyotlar foto diyot geri biaslı (back biased) pn kesişiminden oluşur. karanlık koşullarda oluşan tek akım, azınlık taşıyıcı sızıntı (minority carrier leakage) akımıdır. kesişim aydınlatıldığında, elektron boşluğu çiftleri üretilir ve akım artar. en önemli avantajları yüksek hızlarıdır. fotodiyotların çoğunun tepki süresi 200 ns nin altındadır. bu yüksek hız, fotodiyotların yüksek hızlı devrelerle birlikte kullanılabilmelerini sağlar. yüksek hızlı teyp okuyucularında ve opto-izolatörlerde sıkça kullanılırlar. fototransistörler fototransistör transistör ve fotodiyotun birleşimi olarak düşünülebilir. fotodiyot normal baz bias direncinin yerine kullanılmıştır ve ışığa bağlı sızıntı akımları bazı besler. bu akım transistorun normal işlemiyle yükseltilir. ne yazık ki karanlık akımı da yükseltilir, bu yüzden fototransistörlerin karanlık akımları biraz yüksektir. şekil 2 fototransistör fotodirençlerden daha hızlı olmalarına rağmen, fotodiyotlar kadar hızlı değildirler ve 100 khze kadar hızlarda kullanılabilirler. diğer aygıtlar teorik olarak bütün yarı iletken aygıtlar sensör yapımında kullanılabilirler. foto-fetler, foto-darlingtonlar ve foto-tristörler hep vardır ama çok nadir olarak kullanılırlar. yakın dönemlerde ola... optoelektronik ışık, radyo dalgalarının pek çok özelliğini gösteren elektromanyetik bir fenomendir. görülebilir ışık, elektromanyetik tayfın 0.4 μm (mor) ve 0.8 μm (kırmızı) (400-800 nm) dalga boyu aralığındadır optoelektronik aygıtlar ise morötesinden kızılötesine kadar çok daha geniş bir aralıktadırlar. tayfın ilgilendiğimiz aralığı aşağıda gösterilmektedir. şekil 1 elektromanyetik tayf optik ve elektronik arasında benzerlik olduğundan ve son zamanlarda her ikisinin kesişimi olan optoelektroniğin önem kazanması şaşırtıcı değildir. optoelektronik aygıtlar üç gruba ayrılırlar: 1) ışığa tepki veren aygıtlar (sensörler) 2) ışık yayan aygıtlar (yayıcılar) 3) ışığı kullanan aygıtlar. sensörler fotodirençli hücreler (ışık bağımlı dirençler-ldr) ışık alıcılarının en basit formu fotodirençtir, örneğin orp12. emilen (absorbed) ışık, fotodirençli maddede direncin azalmasına neden olan elektron-boşluk çiftleri oluşturur. tipik bir hücrenin karanlıkta 2 mΩ, oda ışığında ise 100 Ω direnci vardır. bu durum, basit devrelerde kullanımı sağlayan 1 e 10.000 değişim demektir. bu yüzden en çok aç/kapa algılama devrelerinde uygun olarak kullanılabilmektedirler. fotovoltaik aygıtlar (solar hücreler) fotovoltaik aygıt, yüksek ışıkta kaldığında terminalleri arasında gerilim oluşturan, özel tasarlanmış pn kesişimleridir. üretilen güç düşüktür; tek bir hücre, güneş ışığında, 0.4 vta 20 ma –100 ma akım üretir. açık devre gerilimi/yüzeye gelen ışık ilişkisi logaritmiktir. bu yüzden fotografik ışık-metrelerde kullanışlıdırlar. kısa devre akımı/yüzeye gelen ışık ilişkisi ise doğrusaldır ve bu mod ışık metrelerin bir kısmında sınırlı bir şekilde kullanılır. fotovoltaik hücreler pahalıdırlar ve bu onların özel kullanımlarını sınırlar. foto diyotlar foto diyot geri biaslı (back biased) pn kesişiminden oluşur. karanlık koşullarda oluşan tek akım, azınlık taşıyıcı sızıntı (minority carrier leakage) akımıdır. kesişim aydınlatıldığında, elektron boşluğu çiftleri üretilir ve akım artar. en önemli avantajları yüksek hızlarıdır. fotodiyotların çoğunun tepki süresi 200 ns nin altındadır. bu yüksek hız, fotodiyotların yüksek hızlı devrelerle birlikte kullanılabilmelerini sağlar. yüksek hızlı teyp okuyucularında ve opto-izolatörlerde sıkça kullanılırlar. fototransistörler fototransistör transistör ve fotodiyotun birleşimi olarak düşünülebilir. fotodiyot normal baz bias direncinin yerine kullanılmıştır ve ışığa bağlı sızıntı akımları bazı besler. bu akım transistorun normal işlemiyle yükseltilir. ne yazık ki karanlık akımı da yükseltilir, bu yüzden fototransistörlerin karanlık akımları biraz yüksektir. şekil 2 fototransistör fotodirençlerden daha hızlı olmalarına rağmen, fotodiyotlar kadar hızlı değildirler ve 100 khze kadar hızlarda kullanılabilirler. diğer aygıtlar teorik olarak bütün yarı iletken aygıtlar sensör yapımında kullanılabilirler. foto-fetler, foto-darlingtonlar ve foto-tristörler hep vardır ama çok nadir olarak kullanılırlar. yakın dönemlerde ola... konusunda geniş içerikli bir ödev dosyasıdır. Bu ödev dosyası oldukça kapsamlı bir şekilde hazırlanmıştır.
|
| Sayfa Sayısı:
17
|
Dosya Uzantısı: zip |
Kaynakça:
Var |
|
Telif hakkı: Sitedeki
dosyalar üye olmak için öğrencilerin gönderdiği dosyalardan
oluşmaktadır, eğitim ve öğretim amaçlıdır. Bu dosyaların
tamamının editörler tarafından gözden geçirilmesi yoğun bir
emek gerektiğinden, gözden kaçmış olanlar olabilir. Ayrıca
bir üyemiz tarafından gönderilen bir dosyanın telif hakkına
tabi olup olmadığını her durumda tespit edemeyebiliriz.
Böyle bir durumu fark etmeniz halinde lütfen iletişim
bölümünden bize durumu bildirin. Siteden kaldırılması için
dosya ismini veya numarasını bize göndermeniz yeterli
olacaktır. İlgili dosya 24 saat içerisinde derhal siteden
kaldırılır. Telif haklarına gösterilen özen konusunda bize
yardımcı olduğunuz için teşekkür ederiz. |
|
17 sayfalık
bu kaliteli ödevin tamamını görebilmek için üye olanız
gerekmektedir.
Üye olup bu ödevi bilgisayarınıza kaydedebilir, üzerinde değişiklik yapabilir, yazıcı çıktısı alabilirsiniz.
|
Banka Havalesi veya
Kredi Kartı ile Üyelik
|
|
|
- 810 bin ödev, doküman ve
kaynakla Türkiyenin bir numaralı Ödev Sitesi. -
İlkokul - Orta okul - Lise - Meslek Lisesi - Üniversite - Lisans -
Yüksek Lisans - Master - Doktora, Bütün Konular... |
|
Optoelektronik Devreler Ve Düzenler Konusundaki Diğer Ödevlerimiz
Optoelektronik
Devreler
Ve
Düzenler
Optoelektronik Devreler Ve Düzenler, optoelektronik devreler ve düzenler ödevini bedava indir, bedava optoelektronik devreler ve düzenler ödevi, 17 sayfalık optoelektronik devreler ve düzenler ödevleri |
